Ymchwil ar safoni celloedd TOPCon math N
- Wedi'i ddiweddaru: 2023-05-14
- By
ooitech
- ymweliadau: 5455
- 0
Yn ystod y blynyddoedd diwethaf, gyda datblygu a defnyddio technolegau newydd, prosesau newydd a strwythurau newydd o gelloedd ffotofoltäig, mae'r diwydiant celloedd ffotofoltäig wedi datblygu'n gyflym. Fel technoleg allweddol sy'n cefnogi datblygiad ynni newydd a gridiau smart, mae celloedd math n wedi dod yn fan poeth mewn datblygiad diwydiannol byd-eang.
Oherwydd bod gan y gell ffotofoltäig cyswllt goddefol haen n-math twnelu (y cyfeirir ati yma wedi hyn fel "cell TOPCon n-math") y fantais perfformiad o wella effeithlonrwydd yn sylweddol o'i gymharu â chelloedd ffotofoltäig confensiynol, gyda'r cynnydd mewn trawsnewid offer aeddfed y gellir ei reoli ac aeddfed, y gell TOPCon n-math Mae ehangu cynhwysedd cynhyrchu domestig ymhellach wedi dod yn brif gyfeiriad datblygu celloedd ffotofoltäig effeithlonrwydd uchel.
Mae safoni batris TOPCon n-math yn wynebu problemau megis yr anallu i gwmpasu safonau cyfredol a'r angen i wella cymhwysedd safonau. Bydd y papur hwn yn cynnal ymchwil a dadansoddiad ar safoni batris TOPcon n-math, ac yn rhoi awgrymiadau ar gyfer safoni.Statws datblygu technoleg gell TOPCon n-mathStrwythur deunydd sylfaen silicon math-p a ddefnyddir mewn celloedd ffotofoltäig confensiynol yw n + pp +, yr arwyneb derbyn golau yw n + arwyneb, a defnyddir trylediad ffosfforws i ffurfio'r allyrrydd.Mae dau brif fath o strwythurau celloedd ffotofoltäig homojunction ar gyfer deunyddiau sylfaen silicon n-math, un yw n + np +, a'r llall yw p + nn +.O'i gymharu â silicon math-p, mae gan silicon n fath well oes cludwr lleiafrifol, gwanhad is, a mwy o botensial effeithlonrwydd.Mae gan y gell dwyochrog n-math o silicon n fanteision effeithlonrwydd uchel, ymateb golau isel da, cyfernod tymheredd isel, a mwy o gynhyrchu pŵer dwy ochr.Wrth i ofynion y diwydiant ar gyfer effeithlonrwydd trosi ffotodrydanol celloedd ffotofoltäig barhau i gynyddu, bydd celloedd ffotofoltäig effeithlonrwydd uchel n-math fel TOPCon, HJT, ac IBC yn meddiannu marchnad y dyfodol yn raddol.Yn ôl y Map Ffordd Ffotofoltäig Rhyngwladol 2021 (ITRPV) technoleg diwydiant ffotofoltäig byd-eang a rhagolwg marchnad, mae celloedd n-math yn cynrychioli cyfeiriad datblygu technoleg a marchnad celloedd ffotofoltäig yn y dyfodol gartref a thramor.Ymhlith llwybrau technegol y tri math o fatris n-math, mae batris TOPCon n-math wedi dod yn llwybr technoleg gyda'r raddfa ddiwydiannu fwyaf oherwydd eu manteision o gyfradd defnyddio uchel o offer presennol ac effeithlonrwydd trosi uchel.
Ar hyn o bryd, mae batris TOPCon n-math yn y diwydiant yn cael eu paratoi'n gyffredinol yn seiliedig ar dechnoleg LPCVD (dyddodiad cemegol cyfnod anwedd pwysedd isel), sydd â llawer o weithdrefnau, mae effeithlonrwydd a chynnyrch yn gyfyngedig, ac mae offer yn dibynnu ar fewnforion. Mae angen ei wella. Mae cynhyrchu celloedd TOPCon n-math ar raddfa fawr yn wynebu anawsterau technegol megis cost gweithgynhyrchu uchel, proses gymhleth, cyfradd cynnyrch isel, ac effeithlonrwydd trosi annigonol.Mae'r diwydiant wedi gwneud llawer o ymdrechion i wella technoleg celloedd TOPCon n-math. Yn eu plith, mae'r dechnoleg haen polysilicon wedi'i dopio yn y fan a'r lle yn cael ei chymhwyso yn y dyddodiad un broses o haen ocsid twnelu a haen polysilicon doped (n + - polySi) heb blatio lapio;Mae electrod metel y batri TOPCon n-math yn cael ei baratoi trwy ddefnyddio'r dechnoleg newydd o gymysgu past alwminiwm a past arian, sy'n lleihau'r gost ac yn gwella'r ymwrthedd cyswllt; yn mabwysiadu'r strwythur allyrrydd dethol blaen a'r dechnoleg strwythur cyswllt passivation twnelu cefn aml-haen.Mae'r uwchraddiadau technolegol a'r optimeiddio prosesau hyn wedi cyfrannu'n benodol at ddiwydiannu celloedd TOPCon n-math.Ymchwil ar safoni batri TOPCon n-mathMae rhai gwahaniaethau technegol rhwng celloedd TOPCon n-math a chelloedd ffotofoltäig math-p confensiynol, ac mae dyfarniad celloedd ffotofoltäig yn y farchnad yn seiliedig ar y safonau batri confensiynol cyfredol, ac nid oes gofyniad safonol clir ar gyfer celloedd ffotofoltäig math n .Mae gan y gell TOPCon n-math nodweddion gwanhad isel, cyfernod tymheredd isel, effeithlonrwydd uchel, cyfernod deufacial uchel, foltedd agor uchel, ac ati Mae'n wahanol i gelloedd ffotofoltäig confensiynol o ran safonau.
Bydd yr adran hon yn dechrau o bennu dangosyddion safonol y batri TOPcon n-math, cynnal gwiriad cyfatebol o amgylch y crymedd, cryfder tynnol electrod, dibynadwyedd, a pherfformiad gwanhau cychwynnol a achosir gan olau, a thrafod y canlyniadau dilysu.Pennu dangosyddion safonolMae celloedd ffotofoltäig confensiynol yn seiliedig ar safon cynnyrch GB/T29195-2012 "Manylebau Cyffredinol ar gyfer Celloedd Solar Silicon Crisialog a Ddefnyddir ar y Ddaear", sy'n amlwg yn gofyn am baramedrau nodweddiadol celloedd ffotofoltäig.Yn seiliedig ar ofynion GB/T29195-2012, ynghyd â nodweddion technegol batris TOPCon n-math, cynhaliwyd y dadansoddiad fesul eitem.Gweler Tabl 1, mae batris TOPon n-math yn y bôn yr un fath â batris confensiynol o ran maint ac ymddangosiad;
Tabl 1 Cymhariaeth rhwng batri TOPCon math n a gofynion GB/T29195-2012
O ran paramedrau perfformiad trydanol a chyfernod tymheredd, cynhelir profion yn unol â IEC60904-1 ac IEC61853-2, ac mae'r dulliau prawf yn gyson â batris confensiynol; mae'r gofynion ar gyfer priodweddau mecanyddol yn wahanol i fatris confensiynol o ran gradd plygu a chryfder tynnol electrod.Yn ogystal, yn ôl amgylchedd cais gwirioneddol y cynnyrch, ychwanegir prawf gwres llaith fel gofyniad dibynadwyedd.Yn seiliedig ar y dadansoddiad uchod, cynhaliwyd arbrofion i wirio priodweddau mecanyddol a dibynadwyedd batris TOPCon n-math.Dewiswyd cynhyrchion celloedd ffotofoltäig gan weithgynhyrchwyr gwahanol gyda'r un llwybr technegol fel samplau arbrofol. Darparwyd y samplau gan Taizhou Jolywood Optoelectronics Technology Co, Ltd.Cynhaliwyd yr arbrawf mewn labordai trydydd parti a labordai menter, a phrofwyd a dilyswyd y paramedrau megis gradd plygu a chryfder tynnol electrod, prawf cylch thermol a phrawf gwres llaith, a pherfformiad gwanhau cychwynnol a achosir gan olau.Dilysu Priodweddau Mecanyddol Celloedd FfotofoltaiddMae gradd plygu a chryfder tynnol electrod ym mhhriodweddau mecanyddol batris TOPCon n-math yn cael eu profi'n uniongyrchol ar y daflen batri ei hun, ac mae dilysiad y dull prawf fel a ganlyn.Mae crymedd yn cyfeirio at y gwyriad rhwng canolbwynt arwyneb canolrifol y sampl a brofwyd ac awyren gyfeirio'r arwyneb canolrifol. Mae'n ddangosydd pwysig i werthuso gwastadrwydd y batri dan straen trwy brofi dadffurfiad plygu'r gell ffotofoltäig.Ei brif ddull prawf yw mesur y pellter o ganol y wafer i awyren gyfeirio gan ddefnyddio dangosydd dadleoli pwysedd isel.Darparodd Jolywood Optoelectronics a Xi'an State Power Investment 20 darn o fatris TOPCon maint n-math M10 yr un. Roedd gwastadrwydd yr wyneb yn well na 0.01mm, a phrofwyd crymedd y batri gydag offeryn mesur gyda datrysiad gwell na 0.01mm.Cynhelir y prawf plygu batri yn unol â darpariaethau 4.2.1 yn GB/T29195-2012.Dangosir canlyniadau’r profion yn Nhabl 2.
Tabl 2 Canlyniadau profion plygu celloedd TOPCon n-math
Mae safonau rheolaeth fewnol menter Jolywood a Xi'an State Power Investment ill dau yn mynnu nad yw'r radd plygu yn uwch na 0.1mm. Yn ôl y dadansoddiad o ganlyniadau'r profion samplu, gradd blygu cyfartalog Jolywood Optoelectronics a Xi'an State Power Investment yw 0.056mm a 0.053mm yn y drefn honno. Y gwerthoedd uchaf yw 0.08mm a 0.10mm, yn y drefn honno.Yn ôl canlyniadau'r dilysu prawf, cynigir y gofyniad nad yw crymedd y batri TOPCon n-math yn uwch na 0.1mm.Gwirio prawf cryfder tynnol electrodMae'r rhuban metel wedi'i gysylltu â gwifren grid y gell ffotofoltäig trwy weldio i gynnal cerrynt. Dylid cysylltu'r rhuban sodr a'r electrod yn sefydlog i leihau'r ymwrthedd cyswllt a sicrhau'r effeithlonrwydd dargludiad presennol.Am y rheswm hwn, gall y prawf cryfder tynnol electrod ar wifren grid y batri werthuso weldadwyedd electrod ac ansawdd weldio y batri, sy'n ddull prawf cyffredin ar gyfer cryfder adlyniad y modur batri ffotofoltäig.<section style="margin: 0px 0px 16px;padding: 0px;outline
