Gwybodaeth

Trosolwg o dechnoleg modiwl ffotofoltäig Topcon a manteision

Mae technoleg modiwl ffotofoltäig (PV) TOPon (Twnnel Ocsid Passivated Contact) yn cynrychioli'r datblygiadau diweddaraf yn y diwydiant solar ar gyfer gwella effeithlonrwydd celloedd a lleihau costau. Mae craidd technoleg TOPCon yn gorwedd yn ei strwythur cyswllt goddefol unigryw, sy'n lleihau ailgyfuniad cludwr yn effeithiol ar wyneb y gell, a thrwy hynny wella effeithlonrwydd trosi'r gell.

Uchafbwyntiau Technegol

1. Strwythur Cyswllt Passivation: Mae celloedd TOPCon yn paratoi haen silicon ocsid uwch-denau (1-2nm) ar gefn y wafer silicon, ac yna dyddodiad haen silicon polycrystalline doped. Mae'r strwythur hwn nid yn unig yn darparu passivation rhyngwyneb ardderchog ond hefyd yn ffurfio sianel cludo cludwr dethol, gan ganiatáu i gludwyr mwyafrif (electronau) basio drwodd wrth atal cludwyr lleiafrifol (tyllau) rhag ailgyfuno, gan gynyddu'n sylweddol foltedd cylched agored y gell (Voc) a llenwi. ffactor (FF).

2. Effeithlonrwydd Trosi Uchel: Mae effeithlonrwydd mwyaf damcaniaethol celloedd TOPCon mor uchel â 28.7%, yn sylweddol uwch na'r 24.5% o gelloedd PERC math P traddodiadol. Mewn cymwysiadau ymarferol, mae effeithlonrwydd cynhyrchu màs celloedd TOPCon wedi rhagori ar 25%, gyda photensial ar gyfer gwelliant pellach.

3. Diraddiad Isel a Achosir gan Ysgafn (LID): Mae gan wafferi silicon math N ddiraddiad is a achosir gan olau, sy'n golygu y gall modiwlau TOPCon gynnal perfformiad cychwynnol uwch mewn defnydd gwirioneddol, gan leihau colled perfformiad yn y tymor hir.

4. Cyfernod Tymheredd Optimized: Mae cyfernod tymheredd modiwlau TOPCon yn well na modiwlau PERC, sy'n golygu, mewn amgylcheddau tymheredd uchel, bod colled pŵer modiwlau TOPcon yn llai, yn enwedig mewn rhanbarthau trofannol ac anialwch lle mae'r fantais hon yn arbennig o amlwg.

5. Cysondeb: Gall technoleg TOPcon fod yn gydnaws â llinellau cynhyrchu PERC presennol, sy'n gofyn am ychydig o ddyfeisiadau ychwanegol yn unig, megis trylediad boron ac offer dyddodiad ffilm tenau, heb fod angen agor ac aliniad y cefn, gan symleiddio'r broses gynhyrchu.

Proses cynhyrchu

Mae proses gynhyrchu celloedd TOPCon yn bennaf yn cynnwys y camau canlynol:

1. Paratoi Wafer Silicon: Yn gyntaf, defnyddir wafferi silicon N-math fel y deunydd sylfaen ar gyfer y gell. Mae gan wafferi math N oes cludwr lleiafrifol uwch a gwell ymateb golau gwan.

2. Dyddodiad Haen Ocsid: Mae haen silicon ocsid uwch-denau yn cael ei adneuo ar gefn y wafer silicon. Mae trwch yr haen silicon ocsid hwn fel arfer rhwng 1-2nm a dyma'r allwedd i gyflawni cyswllt passivation.

3. Dyddodiad Silicon Polycrystalline Doped: Mae haen silicon polycrystalline doped yn cael ei adneuo ar yr haen ocsid. Gellir cyflawni'r haen silicon polycrystalline hon trwy ddyddodiad anwedd cemegol pwysedd isel (LPCVD) neu dechnoleg dyddodiad anwedd cemegol plasma (PECVD).

4. Triniaeth anelio: Defnyddir triniaeth anelio tymheredd uchel i newid crisialu'r haen silicon polycrystalline, a thrwy hynny ysgogi'r perfformiad goddefol. Mae'r cam hwn yn hanfodol ar gyfer cyflawni ailgyfuniad rhyngwyneb isel ac effeithlonrwydd celloedd uchel.

5. Meteleiddio: Mae llinellau grid metel a phwyntiau cyswllt yn cael eu ffurfio ar flaen a chefn y gell i gasglu cludwyr a gynhyrchir gan luniau. Mae angen sylw arbennig ar broses metallization celloedd TOPCon er mwyn osgoi niweidio'r strwythur cyswllt passivation.

6. Profi a Didoli: Ar ôl i'r gweithgynhyrchu celloedd gael ei gwblhau, cynhelir profion perfformiad trydanol i sicrhau bod y celloedd yn bodloni'r safonau perfformiad a bennwyd ymlaen llaw. Yna caiff y celloedd eu didoli yn ôl paramedrau perfformiad i ddiwallu anghenion gwahanol farchnadoedd.

7. Cynulliad Modiwl: Mae'r celloedd yn cael eu cydosod yn fodiwlau, fel arfer wedi'u hamgáu â deunyddiau fel gwydr, EVA (copolymer asetad ethylene-finyl), a chefnlen i amddiffyn y celloedd a darparu cefnogaeth strwythurol.

Manteision a Heriau

Mae manteision technoleg TOPCon yn gorwedd yn ei heffeithlonrwydd uchel, LID isel, a chyfernod tymheredd da, ac mae pob un ohonynt yn gwneud modiwlau TOPcon yn fwy effeithlon ac mae ganddynt oes hirach mewn cymwysiadau gwirioneddol. Fodd bynnag, mae technoleg TOPCon hefyd yn wynebu heriau cost, yn enwedig o ran buddsoddiad offer cychwynnol a chostau cynhyrchu. Gyda datblygiadau technolegol parhaus a lleihau costau, disgwylir y bydd cost celloedd TOPCon yn gostwng yn raddol, gan wella eu cystadleurwydd yn y farchnad ffotofoltäig.

I grynhoi, mae technoleg TOPcon yn gyfeiriad pwysig ar gyfer datblygiad y diwydiant ffotofoltäig. Mae'n gwella effeithlonrwydd trosi celloedd solar trwy arloesi technolegol tra'n cynnal cydnawsedd â llinellau cynhyrchu presennol, gan ddarparu cefnogaeth dechnegol gref ar gyfer datblygiad cynaliadwy'r diwydiant ffotofoltäig. Gyda chynnydd technolegol parhaus a lleihau costau, disgwylir i fodiwlau ffotofoltäig TOPon ddominyddu'r farchnad ffotofoltäig yn y dyfodol.